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磁控溅射设备原子的能量比蒸发原子的能量大许多倍;入射离子的能量很低时，溅射原子角散布就不完全符合余弦散布规律。角散布还与入射离子方向有关。从单晶靶溅射出来的原子趋向于集中在晶体密度大的方向,因为电子的质量很小，所以即便运用具有高能量的电子炮击靶材也不会发生溅射现象。因为溅射是一个杂乱的物理进程，涉及的因素许多，长期以来关于溅射机理虽然进行了许多的研究，提出过许多的理论，但都难以完善地解说溅射现象。
磁控溅射体系设备的稳定性，对所生成的膜均匀性、成膜质量、镀膜速率等方面有很大的影响。磁控溅射体系设备的溅射品种有许多，按照运用的电源分，能够分为直流磁控溅射，射频磁控溅射，中频磁控溅射等等。溅射涂层开始显示出简略的直流二极管溅射。 它的优点是设备简略，但直流二极管溅射堆积速率低； 为了坚持自我约束的排放，它不能在低压下进行； 它不能溅射绝缘材料。 这样的缺陷约束了它的运用。 在直流二极管溅射设备中添加热阴极和辅佐阳极可构成直流三极管溅射。 由添加的热阴极和辅佐阳极发生的热电子增强了溅射气体原子的电离作用，因而即便在低压下也能够进行溅射。 不然，能够下降溅射电压以进行低压溅射。 在低压条件下； 放电电流也会添加，并且能够不受电压影响地独立操控。 在热阴极之前添加电极（网格状）以形成四极溅射装置能够稳定放电。 可是，这些装置难以获得具有高浓度和低堆叠速度的等离子体区域，因而其尚未在工业中广泛运用。
直流磁控溅射所用的电源是直流高压电源，通常在300～1000V，特点是溅射速率快，造价低，后期维修保养廉价。可是只能溅射金属靶材，假如靶材是绝缘体，随着溅射的深化，靶材会聚集很多的电荷，导致溅射无法持续。因而关于金属靶材通常用直流磁控溅射，因为造价廉价，结构简略，目前在工业上使用广泛。
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