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磁控溅射设备随着磕碰次数的添加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶外表，并在电场E的作用下终沉积在基片上。因为该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。磁控溅射是入射粒子和靶的磕碰进程。入射粒子在靶中阅历复杂的散射进程，和靶原子磕碰，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子磕碰，形成级联进程。在这种级联进程中某些外表邻近的靶原子取得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
磁控溅射设备包含许多种类。各有不同作业原理和应用对象。但有一共同点：使用磁场与电场交互作用，使电子在靶外表邻近成螺旋状运转，然后增大电子撞击氩气发生离子的概率。所发生的离子在电场作用下撞向靶面然后溅射出靶材。磁控溅射设备在二溅射中添加一个平行于靶外表的关闭磁场，借助于靶外表上构成的正交电磁场，把二次电子捆绑在靶外表特定区域来增强电离功率，添加离子密度和能量，然后实现高速率溅射的进程。磁控溅射设备可以有用的前进产品的质量，特别是使用在一些金属原料上的时分，其不只可以让其具有绝缘的效果，还可以提水抗腐蚀程度的水平。我们知道当高速电子对不锈钢、钛、镍、金、银、铜等贵稀金属轰击后，金属分子将向上面的聚脂膜溅射，再通过聚脂膜上面磁的效果，使被溅射的金属物均匀散布。
靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装修膜。磁控阴极按照磁场位形散布不同，大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极。
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