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磁控溅射设备是利用磁场束缚电子的运动,进步电子的离化率.与传统溅射相比具有"低温(磕碰次数的添加,电子的能量逐渐下降,在能量耗尽以后才落在阳极)"、"高速(增长电子运动路径,进步离化率,电离出更多的炮击靶材的离子)"两大特色.经过磁场进步溅射率的基本原理由Penning在60多年前创造,后来由Kay和其他人发展起来,并研制出溅射枪和柱式磁场源.1979年Chapin引入了平面磁控结构.
供给一个额外的电子源,而不是从靶阴极获得电子.完成低压溅射(压强小于0.1帕).缺点:难以在大块扁平材猜中均匀溅射,并且放电过程难以控制,进而工艺重复性差.中频(MF)磁控溅射中评沟通磁控溅射可用在单个阴极靶体系中,工业上一般运用孪生靶溅射体系;靶材利用率高可达70%以上,靶材有更长的运用寿命,更快的溅射速率,杜绝靶材中毒现象.射频(RF)磁控溅射射频溅射特色 - 射频办法能够被用来发生溅射效应的原因是它能够在靶材上发生自偏压效应.在射频溅射设备中,击穿电压和放电电压明显下降.不必再要求靶材一定要是导电体.
磁控溅射的作业原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生磕碰，使其电离发生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量炮击靶外表，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而发生的二次电子会受到电场和磁场作用，发生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线方式在靶外表做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，并且被束缚在接近靶外表的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来炮击靶材，然后完成了高的沉积速率。
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