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当磁控溅射设备入射离子的能量低于某一临界值(阀值)时，不会产生溅射;溅射原子的能量比蒸腾原子的能量大许多倍;入射离子的能量很低时，溅射原子角分布就不完全符合余弦分布规则。角分布还与入射离子方向有关。从单晶靶溅射出来的原子趋向于集中在晶体密度大的方向。因为电子的质量很小，所以即便使用具有高能量的电子炮击靶材也不会产生溅射现象。因为溅射是一个复杂的物理过程，触及的因素许多，长期以来关于溅射机理尽管进行了许多的研究，提出过许多的理论，但都难以完善地解释溅射现象。
磁控溅射体系设备的稳定性，对所生成的膜均匀性、成膜质量、镀膜速率等方面有很大的影响。磁控溅射体系设备的溅射种类有许多，按照使用的电源分，能够分为直流磁控溅射，射频磁控溅射，中频磁控溅射等等。
直流磁控溅射所用的电源是直流高压电源，通常在300～1000V，特点是溅射速率快，造价低，后期维修保养便宜。但是只能溅射金属靶材，如果靶材是绝缘体，随着溅射的深入，靶材会集合很多的电荷，导致溅射无法持续。因此关于金属靶材通常用直流磁控溅射，因为造价便宜，结构简单，现在在工业上应用广泛。
在装修领域的应用，例如各种全反射膜和半通明膜，例如手机壳，鼠标等。作为微电子领域的非热镀膜技能，首要用于化学气相堆积（CVD）或金属有机化学气相堆积（CVD）难以生长而且不适合用于材料的薄膜堆积，而且可以获得大面积的十分均匀的薄膜。在光学领域：IF封闭场非平衡磁控溅射技能也已应用于光学薄膜（例如抗反射涂层），低辐射率玻璃和通明导电玻璃中。 特别地，通明导电玻璃现在广泛地用于平板显示设备，太阳能电池，微波和射频屏蔽设备和设备以及传感器中。
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